AT-42010
Obsolete - RF TRANS NPN 12V 8GHZ 100SMD
Beschreibung:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ 100SMD
AT-42010 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
12V
Rauschzahl (dB typ. bei f)
1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
Verstärkung
10dB ~ 13.5dB
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
30 @ 35mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
80mA
Betriebstemperatur
200 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
4-SMD (100 mil)
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
France
